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  • 原装巴鲁夫模拟位移传感器,BALLUFF模拟位移传感器性能

    原装巴鲁夫模拟位移传感器,BALLUFF模拟位移传感器性能

    原装巴鲁夫模拟位移传感器,BALLUFF模拟位移传感器性能 耗电量(24VDC)≤130mA 接口PROFIBUS-DP接口 O形环材料Viton TK,典型(在500mm的50%时)≤35ppm/K 保护管材料不锈钢1.4571 仓储温度,Z低-40°C

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  • BES 517-132-M3-H德国BALLUFF巴鲁夫模拟位移传感器价格

    德国BALLUFF巴鲁夫模拟位移传感器价格

    德国BALLUFF巴鲁夫模拟位移传感器价格 通过滑片在滑轨上的位移来测量不同的阻值 传感器滑轨连接稳态直流电压允许流过 梯度变化越均匀霍耳电势与位移的关系越接近于线性

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  • -BALLUFF位移传感器有什么好价格,BES12,0-KH-2S

    BALLUFF位移传感器有什么好价格,BES12,0-KH-2S

    BALLUFF位移传感器有什么好价格,BES12,0-KH-2S BTL5-A11-M0300-B-S32 BTL5-A11-M0300-K-SR32 BALLUFF(巴鲁夫)BTL5-A11-M0300-P-KA05 BTL5-A11-M0300-P-S32

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  • 巴鲁夫位移传感器的应用和具有的特点,巴鲁夫位移传感器

    巴鲁夫位移传感器的应用和具有的特点,巴鲁夫位移传感器

    巴鲁夫位移传感器的应用和具有的特点,巴鲁夫位移传感器 巴鲁夫品牌在世界上是知名传感器品牌之一,巴鲁夫接近开关在机床加工、检测仪表等行业中得到日益广泛的应用,巴鲁夫在型号的代理商艾贝德仪表提供有巴鲁夫系列产品,包括巴鲁夫模拟位移开关、巴鲁夫磁敏电容开关、巴鲁夫微脉冲位移传感器、巴鲁夫机电限位开关等等。

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  • BES 516-356-BO-C-02进口BALLUFF微脉冲直线位移传感器,BALLUFF直线位移传感器规格

    进口BALLUFF微脉冲直线位移传感器,BALLUFF直线位移传感器规格

    进口BALLUFF微脉冲直线位移传感器,BALLUFF直线位移传感器规格 我们来介绍一下它的意义。设有一个金属电阻丝,其长度为L,横截面是半径为r的圆形,其面积记作S,其电阻率记作ρ,这种材料的泊松系数是μ。当这根电阻丝未受外力作用时,它的电阻值为R:R=ρL/S(Ω)(2—1)

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  • BMF103K-PS-C-2-PU-03德国巴鲁夫磁致伸缩式位移传感器/BALLUFF传感器

    德国巴鲁夫磁致伸缩式位移传感器/BALLUFF传感器

    德国巴鲁夫磁致伸缩式位移传感器/BALLUFF传感器 KFD2-STC4-EX1.2O KFD2-STC4-EX1-Y122583 KFD2-STC4-EX1.2O-Y122582 模拟量输出 KFD2-CD-EX1.32(单通道,电流驱动) KFD2-CD2-EX2(双通道,电流驱动)

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  • 159267   BKS-S248-R01德国巴鲁夫BALLUFF移位传感器

    德国巴鲁夫BALLUFF移位传感器

    德国巴鲁夫BALLUFF移位传感器 158366BKS-S258-32/S258-PG-00,6balluff 159267BKS-S248-R01balluff 158356BKS-S258-32/S258-PG-02balluff 158339BKS-S248-30-PU-02balluff

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  • BTL5-E10-M0800-B-S32BALLUFF巴鲁夫位移传感器/德国BALLUFF传感器

    BALLUFF巴鲁夫位移传感器/德国BALLUFF传感器

    BALLUFF巴鲁夫位移传感器/德国BALLUFF传感器 BALLUFF巴鲁夫位移传感器的性能指标主要有线性误差、滞后误差、重复性误差、蠕变、零点温度特性和灵敏度温度特性等。在各种衡器和质量计量系统中,通常用综合误差带来综合控制传感器准确度,并将综合误差带与衡器误差带(图1)起来,以便选用对应于某一准确度衡器的称重传感器。

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  • BES516-326-EO-C-03BALLUFF位移传感器型号:BES516-326-EO-C-03

    BALLUFF位移传感器型号:BES516-326-EO-C-03

    BALLUFF位移传感器型号:BES516-326-EO-C-03 BALLUFF位移传感器它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移传感器。但是,为实现测量位移目的而设计的电位器,要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。图1中的电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。物体的位移引起电位器移动端的电阻变化。

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